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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]静态存储单元-CN201410068631.7有效
发明人：庄景德;张智皓;钟兆贵;卢建宇;周世杰;杜明贤 -专利权人：智原科技股份有限公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种静态存储单元，包括数据闩锁电路以及电压供应器。数据闩锁电路用以储存位数据。数据闩锁电路具有相互耦接的第一及第二反向器，第一及第二反向器分别接收第一电压以及第二电压以作为电源电压。
静态存储单元

[发明专利]可增加写入裕量的静态随机存取存储器-CN201010163847.3有效
发明人：胡剑 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明一种可增加写入裕量的静态随机存取存储器，至少包含：静态随机存取存储单元阵列，该静态随机存取存储单元阵列包含多个以阵列形式排列的静态随机存取存储单元；以及可控电源电路，连接于该静态随机存取存储单元阵列，用于给每个静态随机存取存储单元提供可控的电压，本发明在读出和保持模式下，静态随机存取存储单元阵列每列的供电电压及电源负端电压不变，当需要进行写入操作时，使被操作的静态随机存取存储单元所在列的供电电压减小或使得被操作的静态随机存取存储单元所在列的电源负端电压提高，其他列电压不变，这样可以使得本发明的静态随机存取存储单元可接受的低电平范围得以扩展，增加本发明静态随机存取存储器的写入裕量。
可增加写入静态随机存取存储器

[发明专利]非易失性静态随机存取存储器存储单元-CN02127328.6无效
发明人：廖修汉;杨鸿铭 -专利权人：连邦科技股份有限公司
申请日： 2002-07-31 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非易失性静态随机存取存储器存储单元，为一在电源消失后具有存储功能的存储单元，包括有一静态随机存取单元与一非易失性存储单元，其具有静态随机存取存储器的随机存取的特性，同时在电源关闭后，亦可将数据存入非易失性存储单元中，待电源供应后，又能自动将非易失性存储单元中的数据回复至静态随机存取单元中。
非易失性静态随机存取存储器存储单元

[发明专利]静态随机存储器-CN201510090162.3有效
发明人：方伟;丁艳;陈双文;张静;潘劲东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开了一种静态随机存储器。其中，该静态随机存储器包括：存储单元阵列；检测修复电路，与存储单元阵列连接，被设置为对存储单元阵列进行检测，并在检测出存储单元阵列出错时，修复存储单元阵列。本发明解决了由于现有技术中的修复电路位于静态随机存储器的外部所导致的数据处理效率较低的技术问题。
静态随机存储器

[发明专利]静态随机存取存储单元、静态随机存取存储器及电子装置-CN201810322627.7在审
发明人：孙浩;王志鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种静态随机存取存储单元、静态随机存取存储器和电子装置，所述静态随机存取存储单元中，在相应的传输门和存储节点之间增加一个额外的反相器，以对输出端连接所述存储节点的反相器的输出进行再次反相，实现对输出波形的整形，从而改善存储节点处的电位，消除了在低工作电压下噪声对输出信号造成的不利影响，增大了静态随机存取存储单元的噪声容限，提高了静态随机存取存储单元的稳定性；本发明的静态随机存取存储器和电子装置，具有本发明的静态随机存取存储单元
随机存取存储单元静态随机存取存储器存储节点电子装置反相器电位低工作电压输出端连接输出波形输出信号噪声容限传输门整形反相噪声输出

[发明专利]存储单元和存储器-CN201210309244.9无效
发明人：杨俊;林宏国;陈华;李勇;沈菊 -专利权人：辉达公司
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：发明公开了一种存储单元和存储器。该存储单元包括：静态随机存取存储单元，其包括基本RS触发器；以及只读存储单元，其连接所述静态随机存取存储单元，以在所述只读存储单元的触发状态下设置所述基本RS触发器的内部锁存节点的逻辑状态。本发明的存储单元所占尺寸显著小于相同容量的ROM与SRAM尺寸的和。
存储单元存储器

[发明专利]内存管理方法及装置-CN201210325439.2有效
发明人：朱剑平;郑学进;鞠海英 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种内存管理方法及装置，大大提高了内存管理的效率，该方法包括：所述内存单元包括动态存储内存和静态存储内存，其中，所述静态存储内存中每种容量未被占用的二级指针存储单元的数量都介于其最大阈值和最小阈值之间；当某种容量未被占用的二级指针存储单元的数量大于其最大阈值时，将所述静态存储内存上该种容量二级指针存储单元放回到动态存储内存中，作为一级指针存储单元；当某种容量未被占用的二级指针存储单元的数量小于其最小阈值时，所述动态存储内存上取出该种容量的一级指针存储单元到静态存储内存中，作为二级指针存储单元。该装置包括：设置单元和分配单元。
内存管理方法装置

[发明专利]供电控制方法、装置及静态随机存取存储器-CN202210515986.0在审
发明人：曾健忠 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请适用于存储器技术领域，提供了一种供电控制方法、装置及静态随机存取存储器，其中，供电控制方法应用于静态随机存取存储器，静态随机存取存储器包括由多个存储单元组成的存储阵列；供电控制方法包括：确定各个存储单元的数据保持电压值；数据保持电压值为存储单元用于正确存储数据的最低电压值；将所有存储单元的数据保持电压值的最大值确定为静态随机存取存储器的休眠电压值；在静态随机存取存储器进入休眠模式时，控制供电电路以休眠电压值向各个存储单元供电，从而可以在确保所有存储单元均能够正确存储数据的情况下，降低静态随机存取存储器休眠时的功耗。
供电控制方法装置静态随机存取存储器

[发明专利]一种静态随机存储器及其实现方法-CN201110005847.5无效
发明人：王恩东;胡雷钧;李仁刚;秦济龙 -专利权人：浪潮（北京）电子信息产业有限公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供了一种静态随机存储器及其实现方法，该静态随机存储器包括：存储阵列，包括多个存储单元对；其中，所述存储单元对中包括2个存储单元，所述2个存储单元的电源走线重合，且电源走线的穿孔重合。该静态随机存储器能够实现存储阵列的高密度集成，减少芯片设计面积，降低芯片设计成本。
一种静态随机存储器及其实现方法

[发明专利]静态随机存取存储电路及存储器-CN201710422183.X在审
发明人：王颖倩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储电路及存储器，所述静态随机存取存储电路包括：存储单元，适于存储对应的数据信息；写入单元，适于在所述存储单元处于写入选中状态时，将相应的数据信息写入所述存储单元；在所述存储单元处于写入半选中状态时，禁止向所述存储单元中写入数据；读取单元，适于读取所述存储单元中存储的数据信息。
存储单元随机存取存储电路数据信息写入选中状态存储器存储读取读取单元写入单元写入数据

[发明专利]设计具有个别VSS的静态随机存取存储器-CN200710138365.0有效
发明人：黄怀莹;陈炎辉;吴瑞仁;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-08-01 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供一种排列成多个列与多个行的静态随机存取存储器(SRAM)存储单元的阵列，包含多个VSS线连接至所述静态随机存取存储器存储单元的VSS节点，每一VSS线连接至同一行的所述静态随机存取存储器存储单元此多个VSS线包含连接至所述静态随机存取存储器存储单元第一行的第一VSS线；以及连接至所述静态随机存取存储器存储单元第二行的第二VSS线，其中第一VSS线与第二VSS线不互相连接。
设计具有个别 vss 静态随机存取存储器

[发明专利]集成的存储单元及存储阵列-CN202110803438.3有效
发明人：袁庆鹏;蔡晓波;张思萌;张新龙 -专利权人：上海亿存芯半导体有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成的存储单元，所述存储单元包括静态随机访问存储单元；非易失性存储单元，非易失性存储单元包括第一存储晶体管和第二存储晶体管；选通单元，选通单元包括第一选通NMOS管和第二选通NMOS管，第一选通NMOS管和第二选通NMOS管用于使所述非易失性存储单元内的数据加载至所述静态随机访问存储单元，采用第一选通NMOS管和第二选通NMOS管作为非易失性存储单元的控制管，节省了存储器的总体面积，兼容非易失性存储单元的擦除、编程和读取操作，静态随机访问存储单元和非易失性存储单元之间数据转移可靠性高。本发明还提供一种存储阵列，所述存储阵列包括至少一个所述集成的存储单元。
集成存储单元阵列

[发明专利]静态随机存取存储单元及其形成方法-CN201410005710.3在审
发明人：胡剑 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种静态随机存取存储单元及其形成方法。所述静态随机存取存储单元包括上拉晶体管、下拉晶体管以及传输晶体管，还包括：张应力膜，覆盖所述上拉晶体管和下拉晶体管；层间介质隔离层，覆盖所述张应力膜和传输晶体管。所述静态随机存取存储单元的形成方法包括：在半导体衬底上形成上拉晶体管、下拉晶体管以及传输晶体管；在所述上拉晶体管和下拉晶体管上形成张应力膜；在所述张应力膜和传输晶体管上形成层间介质隔离层。本发明技术方案提供的静态随机存取存储单元及其形成方法，能够提高静态随机存取存储单元的写入冗余度，减小静态随机存取存储单元的面积。
静态随机存取存储单元及其形成方法

[发明专利]一种图像合并装置及包含该装置的便携终端-CN200910092948.3无效
发明人：冯备战 -专利权人：北京中星微电子有限公司
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H04N1/387 文献下载
摘要：所述装置包括：动态图像输入单元，用于输入动态图像数据；至少一个静态图像输入单元，用于输入静态图像数据；第一先入先出存储单元，用于按照先入先出的方式缓存动态图像输入单元输入的动态图像数据；一个第二先入先出存储单元，用于按照先入先出的方式预先缓存进行图像合并所需的静态图像数据；图像合并单元，用于根据第一先入先出存储单元输出的动态图像数据读取第二先入先出存储单元缓存的静态图像数据，并合并动态图像数据和静态图像数据。本发明所述技术方案减少了静态图像先入先出存储单元的数量，节省了大量的存储空间，减少了芯片的设计难度，并且降低了制造成本。
一种图像合并装置包含便携终端

[发明专利]显示控制装置、图像显示装置和控制数据传送方法-CN02822908.8无效
发明人：三浦丞;幡野贵久;安部秀喜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-11-14 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： G09G5/00 文献下载
摘要：译码器包括第1存储单元和第2存储单元。从微机通过数据总线将动态控制数据赋予第1存储单元，从微机通过数据总线将静态控制数据赋予第2存储单元。从由地址信号指定的存储单元内的地址读出动态控制数据或静态控制数据。从第1存储单元和第2存储单元读出的动态控制数据，向多个寄存器中由地址信号所指定的寄存器传送。
显示控制装置图像显示装置数据传送方法

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